HIKSEMI
HIKSEMI HS-CFE-E300/1T Tarjeta CFexpress Tipo B 1 TB, Lectura 1800 MB/s, Video 8K RAW
- MPNHS-CFE-E300/1T
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Descripción del producto
Esta tarjeta de memoria de HIKSEMI sirve para grabar y almacenar video y fotografía en equipos profesionales de cine digital y cámaras de alta velocidad. Con 1 TB de capacidad, permite sesiones largas de grabación sin tener que cambiar de tarjeta a mitad del trabajo.
Características principales
- Tipo de tarjeta: CFexpress Tipo B
- Capacidad: 1 TB
- Velocidad de lectura: 1800 MB/s
- Velocidad de escritura: 1600 MB/s
- Interfaz: PCIe Gen 3×2
- Tecnología de memoria: 3D TLC NAND
- Compatibilidad de video: 8K RAW
- Temperatura operativa: -10 °C a 70 °C
Cuando trabajas con cámaras de cine digital o fotografía en ráfaga, el buffer se llena rápido y necesitas que la tarjeta lo vacíe de inmediato: por eso esta tarjeta ofrece 1800 MB/s de lectura y 1600 MB/s de escritura a través de su interfaz PCIe Gen 3×2. Su capacidad de 1 TB te permite grabar video 8K RAW durante sesiones largas sin interrumpir el trabajo para cambiar de tarjeta. La tecnología 3D TLC NAND le da resistencia para uso intensivo día tras día, y su rango operativo de -10 °C a 70 °C significa que sigue funcionando de forma estable en locaciones con clima variable. Es una herramienta pensada para quienes no pueden arriesgarse a perder un solo fotograma durante una producción.
Preguntas frecuentes
¿Esta tarjeta sirve para grabar video 8K?
Sí, soporta grabación de video 8K RAW sin pérdida de fotogramas gracias a su interfaz PCIe Gen 3×2 y sus velocidades de 1800 MB/s de lectura y 1600 MB/s de escritura.
¿Qué capacidad tiene esta tarjeta CFexpress?
Tiene una capacidad de 1 TB, suficiente para sesiones de grabación prolongadas sin necesidad de cambiar de tarjeta.
¿En qué condiciones de temperatura puedo usar esta tarjeta?
Opera de forma confiable en un rango de -10 °C a 70 °C, lo que la hace apta para entornos de producción con condiciones variables.
¿Qué tecnología usa esta tarjeta para soportar uso intensivo?
Utiliza tecnología de memoria 3D TLC NAND, diseñada para ofrecer alta resistencia en condiciones de uso intensivo.
