Mitsubishi
Mitsubishi RD60-HUF1-101 Transistor MOSFET de Potencia 850V 110A TO-247
- MPNRD60-HUF1-101
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Descripción del producto
El transistor MOSFET Mitsubishi RD60-HUF1-101 es un componente de potencia diseñado para conmutación de alta eficiencia en aplicaciones industriales y de telecomunicaciones. Sirve para controlar y manejar energía de forma precisa en sistemas que trabajan con voltajes y corrientes elevadas.
Características principales
- Voltaje máximo de operación: 850V
- Corriente continua: 110A
- Disipación de potencia: 150W
- Encapsulado: TO-247
- Tipo de componente: Transistor FET de potencia
- Aplicación: Sistemas de conmutación de alta eficiencia
Cuando un sistema industrial necesita manejar energía a 850V y 110A sin fallar, este transistor entra a resolverlo con conmutación eficiente. Su encapsulado TO-247 ayuda a que el calor generado por cargas de hasta 150W se disipe mejor, lo que favorece una operación estable incluso en condiciones exigentes. Está pensado para quienes dan mantenimiento o diseñan equipos de conversión de energía y necesitan un componente confiable para sistemas de alta tensión.
Preguntas frecuentes
¿Para qué sirve este transistor MOSFET de Mitsubishi?
Se usa en sistemas de conmutación de alta eficiencia dentro de aplicaciones industriales y de telecomunicaciones, gracias a su capacidad de operar a 850V y 110A de corriente continua.
¿Qué tipo de encapsulado tiene el RD60-HUF1-101?
Viene en encapsulado TO-247, que favorece una disipación térmica adecuada para cargas de hasta 150W.
¿Qué marca fabrica este transistor?
Es fabricado por Mitsubishi, un conglomerado con amplia trayectoria en soluciones de automatización industrial y sistemas de energía.
