{"product_id":"refacciones-electronicas-syscom-irf9z30","title":"Syscom IRF9Z30 Transistor MOSFET Canal P 50V 18A TO-220AB","description":"\u003cdiv class=\"product-description\"\u003e\n\u003cp\u003eReduce las pérdidas de energía al conmutar circuitos gracias a su resistencia de encendido ultrabaja: este es el transistor MOSFET de canal P Syscom IRF9Z30. Está diseñado para tareas de conmutación y control en equipos de análisis electrónico, como analizadores de circuitos y equipo de laboratorio. Soporta hasta 18 A de corriente continua y un voltaje drenaje-fuente de 50 V.\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch3\u003eCaracterísticas principales\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eVoltaje drenaje-fuente (VDSS):\u003c\/strong\u003e 50 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eCorriente continua de drenaje:\u003c\/strong\u003e 18 A @ 25°C\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eResistencia RDS(on) máxima:\u003c\/strong\u003e 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eDisipación de potencia máxima:\u003c\/strong\u003e 74 W\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eCarga de compuerta (Qg):\u003c\/strong\u003e 39 nC @ 10 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eCapacitancia de entrada (Ciss):\u003c\/strong\u003e 900 pF @ 25 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eVoltaje compuerta-fuente máximo:\u003c\/strong\u003e ±20 V\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eRango de temperatura de unión:\u003c\/strong\u003e -55°C a 150°C\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eEncapsulado:\u003c\/strong\u003e TO-220AB, montaje through-hole\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\n\u003cp\u003eEn equipos de laboratorio o de prueba electrónica, cada pérdida de energía al conmutar un circuito se traduce en calor y menor eficiencia. Con una resistencia de encendido de apenas 140 mΩ, este MOSFET minimiza esas pérdidas incluso trabajando con corrientes de hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB de montaje through-hole facilita instalarlo en placas PCB estándar y ayuda a disipar el calor generado durante la operación. Además, su rango de temperatura de unión de -55°C a 150°C le permite mantenerse estable en condiciones de trabajo exigentes.\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch3\u003ePreguntas frecuentes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e¿Cuál es la corriente máxima que soporta este MOSFET?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eSoporta hasta 18 A de corriente continua de drenaje a 25°C.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e¿Qué tan eficiente es este transistor al conducir corriente?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eTiene una resistencia de encendido (RDS on) máxima de 140 mΩ a 9.3 A y 10 V, lo que minimiza las pérdidas por conducción.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e¿Para qué tipo de equipos está pensado este MOSFET?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eEstá diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico, como analizadores de circuitos y equipo de laboratorio.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e¿Qué tipo de montaje tiene y en qué encapsulado viene?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eViene en encapsulado TO-220AB con montaje through-hole, pensado para integrarse en diseños de PCB estándar con disipación térmica directa.\u003c\/p\u003e\n\u003c\/div\u003e","brand":"Syscom","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":67606354264249,"sku":"IRF9Z30","price":85.99,"currency_code":"MXN","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0263\/6532\/9453\/files\/IRF9Z30_main.jpg?v=1790685826","url":"https:\/\/www.tecnocom.store\/products\/refacciones-electronicas-syscom-irf9z30","provider":"Tecnocom | Tecnología, Impresión y Seguridad","version":"1.0","type":"link"}